Модуль оперативной памяти Micron Technology MTA4ATF51264HZ-2G6E3 1Rx16 1.2V 260-Pin SODIMM PC4-2666V-SC0-11 DDR4 4ГБ 2666МГц

Артикул: 37013

Модуль оперативной памяти Micron Technology MTA4ATF51264HZ-2G6E3 1Rx16 1.2V 260-Pin SODIMM PC4-2666V-SC0-11 DDR4 4ГБ 2666МГц

Объем памяти: 4 ГБ

Тип памяти: DDR4

Форм-фактор: SODIMM 260 контактов

Рабочая частота: 2666 МГц

Пропускная способность: PC4-21300 Мб/с

Напряжение: 1.2 В

 

2 000 Руб